РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000325517<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Круковський С. І. 
Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм / С. І. Круковський, Д. М. Заячук, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 3. - С. 594-597. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Розглянуто один із способів покращання параметрів шарів GaAs, одержаних за допомогою методу газотранспортних реакцій в системі Ga - AsCl3 - H2, який базується на використанні галієвого джерела з додаванням ітербію, попередньо відпаленого за високих температур в атмосфері високочистого водню. Досліджені особливості нарощування шарів GaAs показали, що цей спосіб можна використовувати за оптимально підібраних концентрацій ітербію в галієвому джерелі для відтворюваного нарощування епітаксійних шарів із високою рухливістю електронів.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.2

Рубрики:
 Одержання плівок 
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського