При малых дозах облучения (ионами He<^>+ и Ar<^>+) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi8,2 и MoSi3,9 при облучении ионами He<^>+ и Ar<^>+ соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He<^>+, наблюдаются два участка: 1 - слабой зависимости, 2 - сильной зависимости от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют <$E Q sub 1~symbol Ы~0,02> и <$E Q sub 2~symbol Ы~0,5> эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"