Сычикова Я. А. Исследование полос роста фосфида индия методом селективного электрохимического травления / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - 1, № 1. - С. 52-57. - Библиогр.: 13 назв. - рус.Представлен метод наблюдения полос роста кристаллов InP, легированных серой, заключающийся в электрохимическом травлении образцов. В результате на поверхности исследуемых кристаллов образуется картина концентрических темных колец шириной порядка 100 мкм, которые представляют собой места наиболее плотного скопления пор. Поры прорастают в тех областях, где концентрация серы максимальна. Это свидетельствует в пользу выбранного метода для наблюдения сегрегационных явлений в кристалле, которые проявляются в виде полос роста. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|