Сукач А. В. Исследование природы избыточного тока в InSb-фотодиодах / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2009. - Вып. 44. - С. 84-91. - Библиогр.: 21 назв. - рус.Исследована природа избыточного темпового тока в InSb-фотодиодах, изготовленных методом ионной имплантации бериллия в монокристаллические подложки n-типа проводимости. Показано, что в интервале температур 120 - 156 K при прямых смещениях преобладает генерационно-рекомбинационный, а при более низких температурах - туннельный механизм переноса заряда. Получены доказательства природы туннельного тока с участием дислокаций в активной области p - n-перехода. Экспериментальные данные согласуются с расчетными значениями, полученными для модели туннельного тока с участием дислокаций. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|