Исследована природа избыточного темпового тока в InSb-фотодиодах, изготовленных методом ионной имплантации бериллия в монокристаллические подложки n-типа проводимости. Показано, что в интервале температур 120 - 156 K при прямых смещениях преобладает генерационно-рекомбинационный, а при более низких температурах - туннельный механизм переноса заряда. Получены доказательства природы туннельного тока с участием дислокаций в активной области p - n-перехода. Экспериментальные данные согласуются с расчетными значениями, полученными для модели туннельного тока с участием дислокаций.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"