Сформовано наноструктури GaSe "від'ємно анізотропний рідкий кристал". Показано, що вони характеризуються індуктивним відгуком за одночасних дій магнітного поля та освітлення. Виявлено гігантські осциляції діелектричної проникності в даних структурах у випадку накладання магнітного поля вздовж кристалографічної осі C. Показано, що одержані мультишарові гетероструктури можуть слугувати ефективними магнітними блокаторами електричного струму з оптичним керуванням.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В333.79 + В379.273

Рубрики:

Напівпровідникові властивості рідин

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Григорчак Іван Іванович (фізико-математичні науки)
• Іващишин Федір Олегович (фізико-математичні науки)
• Микитюк Зіновій Матвійович (фізико-математичні науки)
• Фечан Андрій Васильович (1969–) (фізико-математичні науки)
• Будзуляк Іван Михайлович (фізико-математичні науки)
• Яблонь Любов Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"