Зазначено, що збільшення степені інтеграції BIC супроводжується подальшим зменшенням розмірів їх топологічних елементів у субмікронний діапазон (<$E <<~1> мкм). Крім того, ускладнюються функціональні властивості структур BIC, які не тільки допускають аналогову та цифрову обробку сигналів, але і забезпечують високу вихідну потужність. Тому сучасна топологічна структура BIC, наприклад мікроконтролера, включає в себе аналогову, цифрову та силову частини схеми. Це відповідно вимагає знання конструкторсько-технологічних особливостей (КТО) формування потужних транзисторних структур для субмікронної технології BIC. Надано КТО потужних польових транзисторів, зокрема Д-МОН, І-МОН, SIP-МОН, СІТ-МОН, транзисторів із резонансним тунелюванням, НВЧ-транзисторів.

• Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"