Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується під час виготовлення n-МОН і p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього та поперечного тензорезистивних ефектів (ТРЕ), одержані у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X||[100], X||[110], X||[111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТРЕ в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано зі зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості у разі зростання X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X||[100] відбувається повне усунення f-переходів із міждолинного розсіювання у разі великого енергетичного розщеплення однотипних <$E DELTA sub 1>-долин (<$E DELTA epsilon~>>~10> кТ), що веде до зростання у цьому випадку рухливості електронів у температурному інтервалі 78 - 300 K. На величину рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів у разі розщеплення однотипних <$E DELTA sub 1> долин не впливає. Наведено технологічні розробки, які використовує фірма "Intel Corporation" під час виробництва інтегральних мікросхем із одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Горін Андрій Євгенович (фізико-математичні науки)
• Єрмаков Віктор Миколайович (технічні науки)
• Єрмаков Володимир Миколайович (1952–) (фізико-математичні науки)
• Єрмаков Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Федосов Сергій Анатолійович (1971–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"