В образцах контакта Шоттки NbN - GaAs обнаружена и исследована фотоэлектродвижущая сила, которая генерируется вдоль границы раздела металл - полупроводник. Характер распределения электродвижущей силы вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоэлектродвижущей силы связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих электродвижущей силы, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл - полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоэлектродвижущей силы при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими электродвижущей силы, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)
• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"