Розглянуто механізми імпульсного лазерного твердофазного легування CdTe індієм у процесі створення діодних структур для детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Показано, що масоперенос індію в CdTe за наносекундного лазерного опромінення структури In - CdTe до порога плавлення CdTe відбувається за механізмом бародифузії - внаслідок значного градієнта напружень. Розраховано коефіцієнти масопереносу індію та оцінено середню дрейфову швидкість переміщення атомів In в CdTe під час опромінення наносекундним імпульсом ексимерного лазера структури In - CdTe з товщиною плівки In 30 нм за оптимального для легування значення густини енергії E = 100 мДж/см<^>2.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В381.592

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Велещук Віталій Петрович (фізико-математичні науки)
• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Гнатюк Володимир Анастасійович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Даулєтмуратов Борібай Коптлеуович (фізико-математичні науки)
• Левицький Сергій Михайлович (технічні науки)
• Левицький Сергій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"