Установлено, что регулированием скорости охлаждения после горячего прессования можна влиять на процессы кристаллизации и аморфизации композита Si3N4 - TiO2 (TiH2). Критическая скорость охлаждения равна 30 град/мин для композитов Si3N4 - TiO2 и 50 град/мин - для Si3N4 - TiH2. Показано, что электропроводность откликается на эволюцию микроструктуры композита вследствие возникновения дефектных уровней, глубина залегания которых колеблется в диапазоне от <$E ((0,4~-~1,3)~symbol С~0,05)> эВ и отличается во взаимноперпендикулярных направлениях. Наилучшим комплексом свойств обладают композиты, характеризующиеся моноловушечным дефектным уровнем с глубиной залегания <$E (0,8~symbol С~0,05)> эВ, предположительно принадлежащим тонкому слою аморфного кремния. Из-за малой чувствительности механических свойств к изменению параметров технологического режима температурной обработки композита (скорости охлаждения) и высокой чувствительности к нему электропроводности, высказано предположение, что образующиеся дефекты с большей вероятностью имеют характер точечных дефектов или ассоциации точечных дефектов.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"