Галій П. В. Нановимірні дослідження поверхні (100) шаруватого кристала In4Se3 / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, О. Р. Дверій, О. П. Поплавський, Я. М. Фіяла // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 4. - С. 813-818. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Кристалографію та топографію (100) поверхонь сколювання кристалів шаруватих напівпровідників In4Se3 досліджено за допомогою методів дифракції повільних електронів (ДПЕ), сканувальної тунельної (СТМ) та атомно-силової мікроскопії (АСМ) у надвисокому вакуумі. Структура рефлексів ДПЕ, форма та характерні розміри в одержаних СТМ- та АСМ-профілях поверхонь сколювання добре відповідають структурі та параметрам гратки, одержаним для кристалів In4Se3 орторомбічної структури з використанням методу дифракції Х-променів. Локальна густина електронних станів і ширина забороненої зони для поверхонь cколювання (100) In4Se3, яка одержана за допомогою методу сканувальної тунельної спектроскопії, вказують на інтегральну її величину таку ж як для "об'єму" кристалів, хоча локальна густина електронних станів зазнає значних флуктуацій в атомному масштабі. Результати ДПЕ, СТМ/АСМ вказують на стабільність міжшарових поверхонь сколювання та перспективність використання слабко провідних борознистих анізотропних сколів як матриць/шаблонів для формування поверхневих нанодротів і наногетероструктур. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|