Клето Г. И. Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г. И. Клето, Я. В. Мартынюк, А. И. Савчук, В. Н. Стребежев, Ю. К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2009. - 7, вип. 1. - С. 65-71. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100 - 120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO2 и Y0,5Sr0,5CoO3. Методом растровой электронной микроскопии изучено влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO2. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y0,5Sr0,5CoO3, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод - пленка. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.371.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|