Ваків М. М. Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія p-Si шарів у складі p - i - n Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2011. - № 708. - С. 50-54. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію <$E symbol Ы~0,2> ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію p-типу провідності в температурному інтервалі <$E 750~-~650~symbol Р roman C>. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|