Предложена простая феноменологическая модель, позволяющая качественно объяснить генерацию электрических полей в He II вторым звуком и колебаниями стенки конденсатора. Модель основана на предположении о существовании на смачиваемых гелием поверхностях связанного состояния атомов He с образованием дипольного момента (дипольного слоя). Кроме того, предполагается, что при переходе гелия в объеме в сверхтекучее состояние изменяется характер смачивания, и это изменение есть переход второго рода, связанный с началом дополнительной конденсации атомов из объема в дипольный слой и переходом его в сверхтекучее состояние. Для описания этого перехода используется теория Ландау с параметром порядка. Из теории следует, что величина отношения колебания разности потенциалов к разности температур на обкладках конденсатора, генерируемых волной второго звука, от температуры не зависит. А разность потенциалов, генерируемая колебаниями стенки торсионного генератора, пропорциональна квадрату ее скорости.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"