Досліджено можливість моделювання реконструкції поверхні Si(001) за допомогою методу молекулярної динаміки з використанням потенціалу Терсоффа. Показано, що як за нульової температури, так і за 300 K, з ідеальної поверхні реконструкція не формується. Якщо атоми самого верхнього шару попарно зблизити на відстань, починаючи з якої вони взаємодіють (r0 = 3,2), то на поверхні виникає симетрична реконструкція. Знайдено в результаті моделювання значення відстані між атомами димеру <$E rd~symbol Ы~2,33> A.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 в73

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж69583/Сер.А Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"