Досліджено спектри екситонного поглинання шаруватих кристалів InSe та GaSe електрохімічно інтеркальованих воднем. Встановлено, що немонотонний зсув, який спостерігається за Т = 77 К для максимуму n = 1 екситонної смуги поглинання, у випадку зростання х виникає внаслідок зростання діелектричної сталої кристала, завдяки появі водню у ван-дер-ваальсівській щілині. Під час дослідження процесу термостимульованої деінтеркаляції із сполук впровадження HxInSe та HxGaSe з використанням термічної обробки встановлено поступове зростання ступеня деінтеркаляції водню від 63 % (<$E х~symbol Ы~0,02>) до 78 % (<$E х~symbol Ы~2,0>) для HxInSe і до 83 % для H4,0GaSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В379.226

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Боледзюк Володимир Богданович (фізико-математичні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"