Досліджено оптичні властивості тонких плівок фулериту C60, одержаних напиленням у вакуумі на плоску та мікрорельєфну поверхню кремнію та арсеніду галію, в спектральному діапазоні 400 - 1 100 нм. Мікрорельєф поверхні сформовано за допомогою методу хімічного анізотропного травлення монокристалічного напівпровідника. Визначено товщину шарів C60 і дисперсію їх оптичних параметрів (n, k), що дозволило розрахувати спектри пропускання світла в діодних гетероструктурах Au/C60/Si(GaAs) і розрахувати спектри внутрішньої квантової ефективності структур із проміжним шаром C60 і без нього. Це дозволило виділити внесок фотоефекту в шарі C60 у загальний фотострум структури. Встановлено, що збільшення фотоструму за рахунок текстурування меж поділу в структурах з проміжним шаром перевищує відповідний ефект у структурах без нього. Введення проміжного шару C60 у мікрорельєфні гетероструктури метал/(Si, GaAs) призводить до збільшення їх фоточутливості в спектральній області, що відповідає фотогенерації носіїв струму в шарі C60. Оптимальна товщина активного фулеритового шару визначається характером мікрорельєфу меж поділу.

• Мамикін Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Науменко Денис Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"