Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Разработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствующих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработанных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"