За допомогою методів високороздільної Х-променевої дифракції, комбінаційного розсіяння світла та фотолюмінесценції досліджено вплив параметрів буферного шару Si1-xGex на просторове впорядкування самоіндукованих наноострівців Ge у багатошарових структурах SiGe/Si, вирощених на (001)Si підкладках. Показано, що товщина та компонентний склад Si1-xGex буферного шару впливають на латеральне впорядкування наноострівців завдяки різній чутливості до впорядкованої модуляції деформацій на поверхні шару. Встановлено, що просторове впорядкування задається виключно латеральним впорядкуванням уже в першому періоді надгратки (НГ). Показано, що у випадку товстих Si1-xGex буферних шарів із значним вмістом Ge починається пластична релаксація з виникненням дислокацій невідповідності на межі поділу, а шари НГ є когерентними до буферного шару. Комплексні дослідження структурних та оптичних характеристик дозволили одержати методичні підходи до дослідження впорядкування наноострівців у НГ.

• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Слободян Микола Васильович (фізико-математичні науки)
• Слободян Мар'яна Вікторівна (філологічні науки)
• Слободян Микола Васильович (фізико-математичні науки)
• Гудименко Олександр Йосипович (фізико-математичні науки)
• Новіков Олексій Валентинович (філологічні науки)
• Новіков Олег Володимирович (1989–) (юридичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"