Досліджено кристалічну та електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, а також твердих розчинів заміщення <$E {roman Zr} sub 1-x {roman R} sub x roman NiSn>, R = Y, Dy, Ho, Er (<$E N sub A sup R~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19~(x~=~0,005)~symbol Ш~9,5~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,5)). Показано, що кристалічна структура n-ZrNiSn є неупорядкованою. Легування n-ZrNiSn атомами рідкісноземельних металів супроводжується зайняттям ними позицій атомів Zr, упорядкуванням кристалічної структури та її трансформацією, а також генерацією дефектів акцепторної природи. Встановлено області існування твердих розчинів <$E {roman Zr} sub 1-x {roman R} sub x roman NiSn>, сформульовано критерій розчинності атомів рідкісноземельних металів у ZrNiSn, визначено природу "апріорного легування" ZrNiSn "донорними домішками", досліджено залежності між концентрацією домішки та напрямком і швидкістю дрейфу рівня Фермі, переходом провідності діелектрик - метал.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Гладишевський Роман Євгенович (1958–) (хімічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Крайовський Роман Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"