Вивчено особливості створення ансамблю квантових нанодротин Si за допомогою методу хімічної газофазової епітаксії у закритій бромідній системі з використанням золота як ініціатора росту. Процес вирощування нанодротин Si включає 2 етапи. Перший етап полягає в утворенні крапель Si-Au на пластині кремнію, які в процесі росту утворюють полікристалічний шар товщиною ~ 100 нм. На другому етапі з крапель виростають нанодротини Si із середнім діаметром 100 нм. Припущено, що полікристалічний шар є засобом для створення високого локального пересичення в областях утворення нанодротин і таким чином є необхідною умовою виникнення нанодротин.

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Островський Ігор Петрович (фізико-математичні науки)
• Ховерко Юрій Миколайович (технічні науки)
• Нічкало Степан Ігорович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"