Досліджено кристалічну і електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого атомами рідкісноземельних металів, зокрема R = Dy, Ho, Er, Y (<$E roman {N sub A sup R~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19~см sup -3}> <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~9,5~cdot~10 sup 21~roman см sup -3~(x~=~0,5))>. Показано, що легування n-ZrNiSn супроводжується упорядкуванням кристалічної структури, атоми домішки займають лише позиції атомів Zr, генеруючи дефекти акцепторної природи. Встановлено області існування твердих розчинів <$E {roman Zr} sub 1-x {roman R} sub x roman NiSn>, сформульовано критерій розчинності атомів рідкісноземельних металів у ZrNiSn, визначено природу "апріорного легування" ZrNiSn "донорними домішками", що дає можливість прогнозувати термоелектричні характеристики <$E {roman Zr} sub 1-x {roman R} sub x roman NiSn>.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.151

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Крайовський Роман Володимирович (технічні науки)
• Кужель Богдан Степанович (фізико-математичні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"