Леговані азотом плівки n-ZnO:N осаджено на p-Si підкладки за допомогою методу магнетронного розпилення. Досліджено особливості фоточутливості структури Ni/n-ZnO:N/p-Si залежно від напруги зміщення та температури. Структури продемонстрували високу струмову чутливість у широкому спектральному діапазоні, яка стрімко зростає у разі збільшення прикладеної напруги. За напруги 5 В чутливість на довжині хвилі <$E lambda> = 400 нм становить декілька десятків А/Вт, а за <$E lambda> = 1000 нм - декілька одиниць А/Вт. Висока чутливість детектора пояснюється внутрішнім підсиленням в структурі Ni/n-ZnO:N/p-Si, що поводить себе як фототранзистор.

• Євтушенко Альона Іванівна (фізико-математичні науки)
• Євтушенко Арсеній Іванович (фізико-математичні науки)
• Лашкарьов Георгій Вадимович (1937–2019) (фізико-математичні науки)
• Склярчук Валерій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Склярчук Олена Федорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"