Стороженко И. П. Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. - 2011. - 2, № 1. - С. 58-63. - Библиогр.: 19 назв. - рус.Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n<^>+ - n - n<^>+- и n<^>+ - n<^>+ - n<^>- - n - n<^>+-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|