Досліджено властивості плівок Ge, вирощених за допомогою методу термічного осадження у вакуумі на підкладках з напівізолювального монокристалічного GaAs з орієнтацією (100). Товщина плівок знаходилася в межах 0,8 - 2 мкм. Температура підкладки 120 - 450 <$E symbol Р>C, відповідно структура одержаних плівок змінювалася від аморфної до монокристалічної. Вивчено взаємозв'язок структурних, електрофізичних та оптичних властивостей плівок та їх залежність від температури осадження. З'ясовано, що основним фактором, який впливає на структуру плівки, є температура підкладки GaAs. Зонна структура плівок є чутливою до кристалічної структури та системи електрично активних дефектів. Установлено, що оптичні характеристики моно- і полікристалічних плівок у дослідженому діапазоні довжин хвиль світла (313 - 579 нм) є близькими до об'ємного германію, в той час як для аморфної плівки вони мають інший характер.

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Матвеєва Людмила Олександрівна (1939–) (фізико-математичні науки)
• Мітін Вадим Федорович (фізико-математичні науки)
• Руденко Олексій Володимирович (фізико-математичні науки)
• Руденко Оксана Валеріївна (юридичні науки)
• Руденко Олена Віталіївна (економічні науки)
• Руденко Олена Володимирівна (медичні науки)
• Руденко Ольга Валентинівна (філософські науки)
• Руденко Оксана Володимирівна (психологічні науки)
• Руденко Олександр Васильович (фізико-математичні науки)
• Семенько Михайло Петрович (фізико-математичні науки)
• Холевчук Володимир Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"