Методом химического травления на подложках GaAs(100) и GaAs(111) получены слои микропористого GaAs. Травление подложек проводилось в растворах на основе HF, с HNO3 и H2O2 в качестве окислителя. При формировании пористой поверхности с использованием HNO3 получены губчатые слои; при использовании H2O2 поры приобретали форму пирамид одинаковой ориентации, равномерно покрывающих поверхность. Спектры фотолюминесценции слоев характеризуются наличием широкой полосы в видимой области спектра, структура которой неэлементарна. Полоса видимой фотолюминесценции раскладывается на три гауссовские подполосы с Eмах, равными 2,844, 2,508 и 1,85 эВ, положение которых свидетельствует о том, что видимая полоса определяется не излучением оксидов составляющих элементов, а обусловлена в основном квантово-размерным эффектом. Согласно оценке, размеры кристаллитов составляют 6,5, 4 и 3,5 нм с преобладанием частиц диаметром 4 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: К675.7-1

Рубрики:

Травлення металів

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пащенко Галина Андріївна (фізико-математичні науки)
• Фомін Олександр Васильович (1867–1935) (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"