Лютий П. Я. Потрійна система Cr - Ga - Si при 870 К / П. Я. Лютий, Я. О. Токайчук, А. О. Федорчук // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2010. - 46, № 4. - С. 53-59. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.За результатами рентгенівського фазового та структурного, а також металографічного аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Cr - Ga - Si за 870 К в повному концентраційному інтервалі. При температурі дослідження тернарні сполуки не утворюються. Встановлено існування та прецизійно визначено область гомогенності твердого розчину заміщення <$E roman Cr sub 3 {roman Si} sub 1-x {roman Ga} sub x> (x = 0 - 0,357) за результатами уточнення кристалографічних параметрів методом Рітвельда (структурний тип Cr3Si, символ Пірсона cP8, просторова група <$E Pm 3 Bar n>) та металографічного аналізу. Індекс рубрикатора НБУВ: К225.04 + К235.270.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|