Розроблено оригінальні методи формування локальних нестандарних дворівневих тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі" (КНІ), які за сумісними технологіями виготовлення конструктивно можуть бути комбіновані з одно- або дворівневими мікропорожнинами під поверхнею кремнієвої пластини. Виконано приладно-технологічне моделювання таких структур. На базі тривимірних КНІ структур розроблено й оптимізовано конструкцію комбінованого МОН транзистора, змодельовано його електричні та теплові характеристики. Показано, що запропоновані тривимірні КНІ-структури є перспективними для проектування елементної бази як зі стандартними, планарними конструкціями, так і з об'ємними, тривимірними архітектурами для побудови на цій основі інтегральних схем, мікросистем- і мікролабораторій-на-кристалі. Показано, що комбінований МОН транзистор можна використовувати для виготовлення нанорозмірних пристроїв.

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Когут Ігор Тимофійович (технічні науки)
• Голота Віктор Іванович (технічні науки)
• Довгий Володимир Васильович (медичні науки)
• Довгий Віктор Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"