Багатошарові тонкоплівкові структури з високою просторовою дисперсією представляють значний інтерес як компактні пристрої для багатоканальної частотної селекції, а також для управління пучками світла та як пристрої контролю дисперсії. Для структури з 202 шарами з високим просторовим зміщенням в спектральному діапазоні 1500 - 1570 нм одержано залежність амплітуди електричного поля від позиції в структурі. Дана залежність дозволяє визначити механізми виникнення високої просторової дисперсії. Для даної структури показано, що виникнення високого просторового зміщення в залежності від довжини хвилі зумовлене декількома механізмами виникнення просторової дисперсії. Також показано, що ефект залежної від довжини хвилі величини накопиченої енергії (ефект резонансу) присутній не лише в півхвильовому шарі, але і в шарах з товщиною значно меншою за чвертьхвильову.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"