Исследована спектральная амперваттная чувствительность охлаждаемых (T = 80 K) InAs p - n-переходов в зависимости от технологических режимов их изготовления методом диффузии акцепторной примеси кадмия в подложки n-типа проводимости. Установлено, что на границе p - n-перехода формируется компенсированная область, параметры которой существенно влияют на амперваттную чувствительность. Рассчитана спектральная фоточувствительность и сравнена с экспериментом. Показано, что расхождение между экспериментальными и расчетными данными может быть обусловлено неоднородным распределением концентрации носителей заряда в квазинейтральной p-области перехода. Установлен определяющий (<$E >>~90> %) вклад p-области в коэффициент собирания неравновесных носителей заряда. Показана возможность прогнозирования спектральной фоточувствительности InAs фотодиодов для разных типов p - n-переходов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"