Залежність від тиску термоерс (S) кремнію легованого Ge, вирощеного за допомогою методу Чохральського, досліджено за умов високого тиску до 20 ГПа. Термоерс виміряно на мікрозразках <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> з різними значеннями <$E 0~symbol Г~х~symbol Г~0,026> і вмістом міжвузлового кисню <$E c sub 0~=~5,4~cdot~10 sup 17~-~1,2~cdot~10 sup 18~roman см sup -3>. Зразки попередньо випробувані за допомогою методів рентгенівської топографії й мікрорентгенівського аналізу для визначення відділення атомів Ge. Експериментальні термоелектричні дані одержано за допомогою двох автоматизованих установок з алмазними й твердосплавними ковадлами високого тиску. Показано результати нановідбитків <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x>. Залежності мікротвердості від вмісту Ge випробувано за допомогою автоматизованої установки наномеханічних випробувань. Використано метод визначення твердості на основі залежності зсув - навантаження, описаної в роботі [2]. Встановлено сильну зміну термоелектричних властивостей компенсованих зразків Si - Ge залежно від тиску.

• Морозова Наталя Володимирівна (філологічні науки)
• Голубкова Ірина Анатоліївна (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"