![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000356380<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Большакова І. А. Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2010. - № 681. - С. 75-79. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Наведено технологію одержання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дозволяє контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара - рідина - кристал і конкуруючий ріст нанодротин. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|