Визначено домінуючі точкові дефекти під час легування кристалів ZnSe індієм та киснем ZnSe:In, ZnSe:O:In. Розглянуто механізми дефектоутворення з врахуванням того, що донорами є <$E roman In sub Zn sup +>, а вакансії катіонів утворюють асоціативні комплекси (<$E roman {In sub Zn sup symbol Ч~V sub Zn prime}>) та (<$E roman {In sub Zn sup symbol Ч~V sub Zn symbol Т}>). Розраховано залежності концентрації дефектів, холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легуючої домішки In як для стехіометричного цинк селеніду, так і для n- та p-ZnSe. Визначено роль кисню, надлишкового цинку та коефіцієнтів диспропорціювання зарядових станів точкових дефектів <$E {roman Zn} sub i sup + ,~{roman Zn} sub i sup 2+ ,~roman {V sub Zn sup - ,~V sub Zn sup 2-}> та їх комплексів у формуванні електронної підсистеми кристалів цинк селеніду та реалізації у них термодинамічних p - n-переходів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.26

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сташко Назар Васильович (фізико-математичні науки)
• Гургула Галина Ярославівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"