Методом высокоразрешающей сканирующей туннельной микроскопии исследованы процессы образования гексагонально-пирамидальных структур золота на поверхностях монокристаллов кремния Si(111) и Si(110). Установлено, что в случае Si(111) золото образует самоупорядоченные гексагонально-пирамидальные наноструктуры фрактального характера, которые состоят из атомных плоскостей в один моноатомный слой, смещенных на расстояние 3 нм относительно начала роста предыдущей плоскости, тогда как для плоскости кремния (110) наблюдаются только монослойные гексагональные образования. Изучены процессы формирования гексагонально-пирамидальных структур золота, которые обусловлены возрастанием плотности электронных состояний на краю каждой моноатомной плоскости. Ввиду того, что крайние атомы плоскостей имеют более высокое энергетическое состояние, рост каждой следующей плоскости начинается не с края, а с расстояния ~ 3 нм от края, что обусловлено релаксацией неоднородности электронной плотности состояний на этом расстоянии и определяет пирамидальную форму образований.

• Вишняк Володимир Вікторович (фізико-математичні науки)
• Курган Наталія Анатоліївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"