Рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где А и B - катионы (металлы III-группы), а C - анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga = 93 %, а Al = 7 % удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоев арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований - кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"