За допомогою методу електронографії досліджено початкові стадії нарощування плівок HgCdTe на підкладках <$E roman {Al sub 2 O sub 3}>, GaAs, CdTe і KCl. Плівки одержано із використанням методів імпульсного лазерного осадження та ізоПФЕ. На початкових стадіях росту спостережено перехід від аморфної структури до текстурованої полікристалічної, аж до появи структури мозаїчного монокристала. Розраховано критичні розміри кристалічних зерен напівпровідникових сполук II - VI, подальше зменшення яких призводить до переходу з кристалічного стану в аморфний. Значення критичних розмірів зерен узгоджуються з розмірами зерен невпорядкованої (аморфної) фази, яка виникає на початковій стадії росту епітаксійних плівок HgCdTe на різних підкладках.

• Фружинський Мар'ян Станіславович (технічні науки)
• Гиренко Інна Володимирівна (1983–) (юридичні науки)
• Вірт Ігор Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"