Представлено результати аналізу, які пояснюють загальну тенденцію в особливостях процесу поширення тепла в напівпровідникових структурах на основі Si з модифікованими властивостями приповерхневого шару у разі опромінення їх коротким лазерним імпульсом. Показано, що наявність структурної неоднорідності (модифікованого шару) та врахування впливу нелінійної залежності коефіцієнта температуропровідності призводить до суттєвої трансформації області (її зменшення), локалізації теплової енергії та збільшення температури в приповерхневому шарі матеріалу.

• Ісаєв Микола Вікторович (фізико-математичні науки)
• Ісаєв Михайло Володимирович (медичні науки)
• Кузьмич Андрій Григорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"