Панасюк М. Р. Фотоелектричні характеристики гетероструктур ZnO/Si / М. Р. Панасюк, Д. Л. Вознюк, В. Б. Капустяник, Б. І. Турко, В. С. Цибульський, Г. О. Лубочкова, Ю. Г. Дубов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 1. - С. 244-247. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.За допомогою методу ВЧ-магнетронного напилення плівок оксиду цинку на монокристалічні кремнієві підкладки створено фотодіод n-ZnO/p-Si. Уперше досліджено фоточутливість такої гетероструктури в широкому діапазоні довжин хвиль - від 500 до 2000 нм. Установлено, що фотодіод має максимальну чутливість на довжинах хвиль 775 - 882 нм. Виявлено доволі широкий максимум в області довжин хвиль 1400 - 2000 нм. Це дає підстави стверджувати, що фотодіод, виготовлений на основі структури n-ZnO/p-Si, можна використовувати для детектування фотонів як видимої, так і інфрачервоної ділянки спектра. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|