Шелюк І. О. Хімічна взаємодія монокристалів GaAs, GaSb, InAs та InSb з водними розчинами H2O2 - HBr / І. О. Шелюк, З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук, Р. О. Денисюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 411-415. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GaAs, GaSb, InAs, InAs (Sn) та InSb з водними розчинами H2O2 - HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітувальні стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади полірувальних травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|