Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000359959<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Новосядлий С. П. Шляхи підвищення електрофізичних параметрів підзатворного діелектрика в субмікронних структурах / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський, В. М. Вівчарук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 4. - С. 928-934. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.З ростом степені інтеграції великих інтегральних схем знижується товщина підзатворного діелектрика їх структур. Це вимагає адекватних конструкторсько-технологічних рішень на збереження високих пробивних напруг та зниження зарядового стану як на межі Si - SiO2, так і в самому діелектрику. Вказано шляхи покращання електрофізичних параметрів і термопольової стабільності підзатворного діелектрика, сформованого процесами його нітридизації та легування. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|