РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000359959<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Новосядлий С. П. 
Шляхи підвищення електрофізичних параметрів підзатворного діелектрика в субмікронних структурах / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський, В. М. Вівчарук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 4. - С. 928-934. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.

З ростом степені інтеграції великих інтегральних схем знижується товщина підзатворного діелектрика їх структур. Це вимагає адекватних конструкторсько-технологічних рішень на збереження високих пробивних напруг та зниження зарядового стану як на межі Si - SiO2, так і в самому діелектрику. Вказано шляхи покращання електрофізичних параметрів і термопольової стабільності підзатворного діелектрика, сформованого процесами його нітридизації та легування.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського