Вивчено зміни електрофізичних характеристик потужних InGaN/GaN світлодіодів (площа структури 1 мм<^>2). Визначено, що диференційний показник нахилу ВАХ за прямого зміщення від 0 до 3,2 В змінюється - m = 2,2 - 8 і зазвичай має величину 5 - 6. Виявлено, що ВАХ InGaN/GaN потужних світлодіодів за T = 77 K має S-подібний вигляд, зумовлений переходом від монополярного режиму інжекції носіїв до біполярного та є чутливим до дефектів, які створюють глибокі рівні. В InGaN/GaN гетероструктурах виявлено інфрачервону смугу електролюмінесценції.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Ляшенко Олег Всеволодович (1959–2013) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"