Досліджено вплив первісно аморфного шару SiOx на морфологію та оптоелектронні властивості систем нанокластерів Si та Ge, одержаних за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії. Запропоновано механізм формування нанокластерів за взаємодії надкритичних потоків германію чи кремнію з первісно аморфною поверхнею, який базується на заліковуванні хімічної неоднорідності та вбудовуванні атомів Si в SiOx, а також виникненні напружень внаслідок невідповідності сталих граток. Для того, щоб переконатися, яким чином наявність додаткового проміжного субмоношару SiOx впливає на фотоелектричні властивості структур з нанокластерами Ge, досліджено спектри фотопровідності та фотоерс таких систем і порівняно з раніше одержаними спектрами традиційних структур Ge на Si.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"