Досліджено явище високотемпературної нестабільності заряду в приповерхневому оксиді n-МОН структури з повністю виснаженою інверсною модою в кремнії-на-ізоляторі та високотемпературну динаміку носіїв струму в конденсаторах, виготовлених із використанням кремнію, імплантованого киснем, і кремнію за присутності SiO2. Показано, що природа процесу високотемпературної нестабільності заряду зумовлена генерацією протонів в порушеній зоні поблизу межі приповерхневий оксид - кремнієва підкладка за температур вищих за 200 градусів за Цельсієм. Визначено значення енергії активації процесу генерації протонів (1,2 еВ для SIMOX і від 0,9 до 1,5 еВ для UNIBOND матеріалів) і розраховано коефіцієнт дифузії протонів у приповерхневому оксиді.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + З852.395

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"