Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого та зворотного струмів кремнієвих p - n переходів із різним рівнем легування. Деякі зразки мали аномально високі прямий і зворотний струми. Вони мали негативну чутливість до парів аміаку. Прямий і зворотний струми зменшувалися зі зростанням парціального тиску аміаку в навколишній атмосфері. Даний ефект пояснено у припущенні, що на поверхні n-області знаходяться іонізовані акцепторні центри та формують провідний канал, який закорочує p - n перехід. Адсорбція молекул аміаку, які є донорами в Si, компенсує поверхневі акцептори та зменшує електропровідність каналу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"