Тищенко Е. Н. RAPD-анализ клеточной линии сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия / Е. Н. Тищенко, С. И. Михальская, Л. Е. Сергеева // Цитология и генетика. - 2009. - 43, № 4. - С. 39-44. - Библиогр.: 18 назв. - рус.Исследовано влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрестную устойчивость к оксианионам <$E roman V sup 5+>. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов <$E roman W sup 6+> и <$E roman V sup 5+>. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Індекс рубрикатора НБУВ: Е50*440.16-641 + П213.6-31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60216 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|