Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p - n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I - V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward current and the reverse current in p - n junctions. The ideality coefficient of I - V characteristics decreases with the storage. This effect has two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"