The influence of ammonia vapors on I - V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs - AlGaAs p - n junctions with degenerated <$E p sup +> region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P - n junctions with degenerated <$E p sup +> region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated <$E p sup +> region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~ 20 s is due to filling up deep electron traps.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"