Представлено результати комп'ютерного моделювання впливу пилового згустку на приелектродний шар. Для визначення параметрів плазми в приелектродному шарі поблизу пилового згустка використовувалась двовимірна вісесиметрична гідродинамічна модель. Пилова компонента вважалася нерухомою однорідною, зі змінним зарядом. Результати моделювання показують, що іонна густина зменшується всередині пилового згустку і має піки на його границях. Пиловий згусток змінює профіль потенціалу плазми так, що мінімум в розподілі з'являється біля границі пилового згустку збоку плазми. Ця потенціальна яма прискорює іони в напрямку пилового згустку, а також є потенціальним бар'єром для негативно заряджених пилових частинок.

• Кравченко Олександр Васильович (1959–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"