Проведено розрахунки локального електромеханічного відгуку тонких плівок напівпровідників-іоніків, викликаного локальними змінами концентрації іонів (стехіометричний внесок) і вільних електронів і дірок (електрон-фононна взаємодія внаслідок деформаційного потенціалу). Одержано динамічні деформаційно-вольтові петлі гістерезису в тонкій плівці іоніка-напівпровідника з рухливими акцепторами (донорами) та дірками (електронами). У випадку "блокуючих" електродів, які не пропускають іони, зміни концентрації дірок (електронів) вносять основний внесок у залежність механічного зміщення поверхні плівки від електричної напруги, прикладеної до зонда, що безпосередньо реєструється за допомогою методів сканувальної зондової мікроскопії (СЗМ). Таким чином, СЗМ переміщення поверхні іоніка-напівпровідника може надати важливу інформацію про локальні зміни зарядового стану акцепторів (донорів) та електрон-фононні кореляції через деформаційний потенціал.

• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)
• Свєчніков Георгій Сергійович (технічні науки)
• Деркач Катерина Вікторівна (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"