Подготовлены тонкие пленки из прозрачных проводящих оксидов ZnO с помощью CVD при различных температурах (400, 450, 500 градусов по Цельсию). Результаты дифракции рентгеновских лучей указывают на наличие в тонких пленках фазы ZnO, кристаллическая структура которой сохраняется и является поликристаллической, а также на присутствие большого количества пиков с высокой интенсивностью (0 0 2) и с дифракционными углами 2theta = 34,76 градусов, что указывает на направление для преимущественного роста фазы (0 0 2). Оптические измерения показали, что спектр пропускания зависит от длины волны; при уменьшении длины волны значение спектра пропускания очень высокое и находится в оптическом спектре ИК-излучения, что указывает на то, что эти пленки имеют большую ширину энергетической зоны; это приводит к пропусканию большой части видимого света за счет увеличения температуры подложки, что соответствует улучшению структуры кристалла. С помощью метода оптической микроскопии определены стабильность и однородность пленок. В дополнение проанализированы образцы после отжига. Результаты анализа показывают, что процесс отжига увеличил площади и размеры подготовленных зерен ZnO и увеличил расстояние между ними.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"